[FETV=허지현 기자] 삼성전자는 최근 '2나노 칩' 관련 반도체 사업과 기술 경쟁력 강화를 위해 네덜란드 ASML과 1조원 규모의 공동 연구개발(R&D)센터 건립 양해각서(MOU)를 체결했다. 삼성전자는 이번 MOU 체결로 ASML의 하이-NA EUV(뉴메리컬어퍼처 극자외선) 노광 장비를 선점하게 됐다. 삼성전자와 ASML 양사는 한국에 EUV기술을 개발하는 반도체칩 연구공장을 건설하는데 의견을 같이했다. 삼성전자는 반도체칩 연구공장 건설을 신호탄삼아 오는 2030년 파운드리시장 1위를 차지한다는 각오다. 

경계현 삼성전자 부회장은 "ASML와의 협약이 차세대 하이-NA EUV 리소그래피 스캐너' 장비 확보에 도움이 될 것"이라며 "하이-NA 장비 기술과 관련한 우선권을 확보했다. 또 장기적으로 DRAM 메모리 칩과 로직 칩 생산을 위한 하이-NA 기술 사용을 최적화할 수 있는 기회를 만들었다고 생각한다"고 말했다.

19일 관련업계에 따르면 삼성전자와 인텔은 TSMC보다 앞서가기 위해 차세대 기술력인 '2나노 경쟁'에 본격적으로 돌입했다. TSMC는 먼저 '애플'과 '엔비디아' 등 일부 대형 고객사들에게 2나노칩 관련 시제품의 공정 테스를 공개했다. 삼성전자는 애플과 엔비디아 등을 포함한 기업들의 관심을 가져오고자 2나노 시제품의 저가 버전을 제공하는 것으로 조사됐다.

EUV칩 제조 기술을 개선하기 위해 경기도 동탄에 설치될 예정인 반도체칩 연구 시설에서는 ASML과 삼성전자 양사 엔지니어들이 협력하며 기술개발에 나설 예정이다. 삼성전자와 ASML은 2나노 반도체 제조 정비 도입뿐 아니라 차세대 장비를 활용 확대를 위한 파트너십 강화를 도모하기로 했다. 

'2나노 칩' 양산에 필요한 요소중 하나는 하이-NA EUV다. ASML 측은 향후 수개월내 2나노 노드 칩을 생산하는 최신 장비를 출시할 예정이다. 이 장비는 집광 능력을 0.33에서 0.55로 증가시킨 파운드리 2나노 공정 구현에 필수적인 요소다. 칩 제조업체가 초미세 패터닝 기술을 사용해 2나노 노드 칩을 만들 수 있도록 한다.

앞서 이재용 삼성전자 회장은 지난 2019년 '2030 시스템 반도체 1위 목표' 비전을 발표한 뒤 기술 개발에 매진하고 있다. 그 결과 지난해 세계 최초 3나노 파운드리 양산을 선언한 바 있다. 올해엔 3나도 2세대 공정, 2025년 2나노, 2027년 1.4나노 미세공정 반도체 양산 비전도 제시했다.

이 회장은 지난주 ASML을 방문해 체결한 사업 거래에 대해 만족감을 표시했다. 윤 대통령과 함께한 국빈 방문을 계기로 클린룸까지 함께 동행한 이 회장은 "반도체 산업에 변화를 줄 수 있겠다"고 언급했다. 삼성전자의 하이-NA EUV 기술적 우선권 확보는 장기적으로는 D램이나 로직 반도체 공정 분야에서 하이-NA EUV를 손쉽게 사용할 수 있는 기반을 구축한 셈이다. 삼성전자는 ASML이 개발중인 2나노 칩 장비를 신속히 인수한 뒤 오는 2025년 하반기부터 2나노 칩 생산에 들어간다는 계획이다.