[FETV=김수식 기자] 삼성전자가 ‘3나노미터(㎚·1나노=10억 분의 1m) 반도체’ 양산에 들어갈 전망이다. 삼성전자는 업계 1위 대만 TSMC 보다 먼저 3나노 공정과 차세대 공정을 도입하게 되는 것이다.

삼성전자는 오는 30일 이를 공식 발표할 것으로 알려졌다. 3나노 공정이 적용된 반도체를 만들어 제품으로 공급하는 건 삼성이 처음이다.

앞서 삼성전자는 올해 상반기 게이트 올 어라운드(GAA) 기술에 기반을 둔 3나노 공정 제품을 양산하고 2023년에 3나노 2세대 제품을, 2025년에는 2나노 제품을 양산하겠다는 계획을 밝힌 바 있다.

지난달 20일 조 바이든 미국 대통령이 윤석열 대통령과 삼성전자 평택캠퍼스를 찾았을 때 삼성이 선보인 것이 바로 3나노 반도체 웨이퍼다. 당시 이재용 삼성전자 부회장이 직접 소개했다. 양국 정상은 3나노 공정 웨이퍼 시제품에 서명했다.

이번 3나노 제품은 삼성이 20년 이상 투자·개발해온 GAA 기반으로 만든다. 현재 반도체 공정에는 입체(3D) 구조 공정인 ‘핀펫’기술이 쓰인다. 이 기술은 평판 트랜지스터보다 효율이 높지만 4나노 이하 공정에서는 한계가 있는 반면, GAA 기술은 전류가 흐르는 채널 4면을 둘러싸는 방식으로 전류 흐름을 보다 세밀하게 제어하고 높은 전력 효율을 얻을 수 있다.