[FETV=나연지 기자] SK하이닉스가 메모리 업계 최초로 차세대 노광 장비 ‘High NA EUV’를 이천 M16 팹에 반입하고 기념식을 열었다고 3일 밝혔다.

High NA EUV(High Numerical Aperture Extreme Ultraviolet Lithography)는 기존 EUV(개구수 NA 0.33)보다 확대된 NA 0.55를 적용한 장비로, 회로 해상도를 높여 선폭 축소와 집적도 향상에 핵심 역할을 한다.

네덜란드 ASML의 ‘트윈스캔 EXE:5200B’가 업계 최초 양산용 모델이다. 기존 대비 40% 향상된 광학 기술로 1.7배 정밀한 회로 형성과 2.9배 높은 집적도가 가능하다.

이날 행사에는 ASML코리아 김병찬 사장, SK하이닉스 차선용 부사장(CTO), 이병기 부사장(제조기술 담당) 등이 참석했다. 차선용 부사장 CTO는 “이번 장비는 AI와 차세대 컴퓨팅 시장에 대응할 핵심 인프라”라며 “AI 메모리 시장을 선도하겠다”고 밝혔다.

SK하이닉스는 2021년 10나노급 4세대(1anm) D램에 EUV를 처음 적용한 이후 첨단 D램 생산에 EUV 사용을 확대해왔다. 회사는 High NA EUV를 통해 공정을 단순화하고 차세대 메모리 개발 속도를 높여 성능과 원가 경쟁력을 동시에 확보한다는 계획이다.

ASML코리아 김 사장은 “High NA EUV는 반도체 산업의 미래를 여는 기술”이라며 “SK하이닉스와 협력해 메모리 반도체 혁신을 앞당기겠다”고 말했다.