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산업


삼성전자·SK하이닉스, 반도체 역사 또 빼앗겼다

마이크론, 세계 최초로 4세대 D램 공개

 

[FETV=김현호 기자] 메모리반도체 세계 3위 기업인 미국의 마이크론이 경쟁사인 삼성전자와 SK하이닉스의 '튀통수'를 다시 때렸다. 세계 최초로 10나노미터(1nm=10억분의 1m)급 공정을 도입한 4세대 D램을 공개했기 때문이다. 앞서 마이크론은 176단 낸드플래시를 삼성과 하이닉스의 앞서 세계 최초로 양산한 바 있어 기술력 격차를 좁히고 있는 모양새다.

 

마이크론은 26일(현지시각), 4세대 10나노급(1a) D램 제품을 대만 공장에서 생산해 대량 출하한다고 밝혔다. 1a는 최상급 제품인 10나노급 3세대(1z) 제품보다 집적도는 40% 개선됐고 전력효율성은 15% 향상됐다고 마이크론 관계자는 설명했다. D램 제조사는 1세대(1x)를 출하한 이후 다음 세대 제품의 명칭을 1y, 1z로 설정했고 4세대 이후 출시되는 5세대 D램의 경우 명칭은 1b가 된다. 

 

앞서 마이크론은 지난해 11월, 176단 낸드플래시를 세계 최초로 양산했다. 삼성과 하이닉스가 생산하고 있는 128단 기술보다 적층 난도가 높은 것이다. 낸드플래시는 D램보다 속도가 느리지만 전원이 꺼져도 데이터를 저장할 수 있고 한 번 입력된 정보를 영구 저장할 수 있는 장점이 있다. 현재 하이닉스도 176단 낸드플래시 개발했지만 양산하지 못하고 있고 삼성은 128단에 머물러 있다.

 

삼성과 하이닉스는 마이크론과 달리 1a D램을 극자외선(EUV)을 통해 올해부터 본격 생산할 예정이다. 낸드플래시 기술의 핵심은 기본 저장단위인 '셀'을 적층하는 것이지만 D램은 회로 선폭을 줄여야 하기 때문에 나노기술이 높을수록 성능과 효율이 좌우된다.

 

이에 따라 회로의 선폭을 정밀하게 그리기 위해서는 EUV 장비 도입이 필수적이다. EUV는 파장이 짧은 극자외선 광원으로 반도체의 재료가 되는 얇은 원판인 웨이퍼에 반도체 회로를 새길 수 있으며 일반 공정으로 할 수 없는 초미세 회로 구현이 가능하다.