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전자


SK하이닉스 최우진 부사장, 동탑산업훈장 수상...HBM 핵심기술 어드밴스드 MR-MUF 개발

 

[FETV=양대규 기자] SK하이닉스는 P&T(Package & Test)담당 최우진 부사장은 반도체 패키징 분야 기술 혁신을 통해 HBM(고대역폭 메모리) 경쟁력 향상을 이루어낸 공로로 동탑산업훈장을 수상했다고 19일 밝혔다.

 

시상식은 지난 7일 서울 여의도 FKI 타워에서 열린 ‘제48회 국가생산성대회’에서 진행됐다.

 

산업통상자원부가 주최하고 한국생산성본부가 주관하는 국가생산성대상은 탁월한 생산성 혁신을 달성한 기업 및 유공자에게 수여된다. 

 

최우진 부사장은 ▲HBM 기술 혁신을 바탕으로 AI 메모리 시장 선도 지위 확보 ▲소부장 글로벌 공급망 불안 해소 ▲제조/기술 혁신을 통한 생산성 향상 및 위기 극복 등의 공로를 인정받았다.

 

최 부사장은 “지난 다운턴을 이겨내고, 세계 최고 수준의 HBM 제품을 위해 함께 헌신하고 노력해 온 회사의 모든 구성원들께 먼저 감사의 인사를 전하고 싶다”며 “많은 도전과 변화 속에서도 우리 모두가 멈추지 않고 혁신과 성장을 추구해 온 덕분에, 제가 이런 큰 상을 받을 수 있었다고 생각한다”고 소감을 밝혔다.

 

SK하이닉스에 따르면 최 부사장이 이끄는 P&T 조직은 반도체 생산공정 중 후공정에 해당하는 패키징(Packaging)과 테스트(Test)를 담당한다. 팹(Fab, 반도체 제조 설비)에서 전공정을 마친 웨이퍼를 고객이 사용할 수 있는 제품 형태로 패키징하고, 고객이 요구하는 수준에 적합한 품질인지 테스트하여 신뢰성까지 확보하는 역할이다.

 

현재 SK하이닉스 HBM 경쟁력의 핵심 기술인 TSV(Through Silicon Via, 수직관통전극), MR-MUF(Mass Reflow-Molded UnderFill) 등이 패키킹에 사용된다.

 

SK하이닉스는 최 부사장이 HBM 패키징 기술 개발 및 양산을 책임지며, 회사가 HBM 1등 위상을 얻는 데 중요한 역할을 수행했다고 강조했다.

 

최 부사장은 지난 2019년 HBM 3세대 제품인 HBM2E 패키지에 최초로 MR-MUF 기술을 도입해 열과 압력으로 인한 품질 문제를 개선했다. 이를 통해 수율을 개선하고 생산량을 끌어올림으로써 시장의 판도를 바꿨다.

 

또한 그는 MR-MUF 기술을 고도화한 ‘어드밴스드 MR-MUF’ 기술을 개발해 4세대 HBM3 12단과 5세대 HBM3E 개발 및 양산까지 성공으로 이끌었다.

 

어드밴스드 MR-MUF: 기존 칩 두께 대비 40% 얇은 칩을 휘어짐 없이 적층할 수 있는 칩 제어 기술(Warpage Control)이 적용됐다. 신규 보호재를 통해 방열 특성까지 향상된 차세대 MR-MUF 기술이다.

 

이런 성공 스토리의 바탕에는 시장 변화에 촉각을 곤두세우며 선제적으로 대응해 온 노력이 있었다고 SK하이닉스 측은 설명했다.

 

최 부사장은 역대 HBM 개발 및 양산 과정에서 가장 중요한 것으로 ‘타임 투 마켓(TTM, Time to Market)’을 꼽으며, 시장 상황에 기민하게 대처할 수 있는 기술을 준비해야 한다고 강조했다.

 

그는 "AI 시대의 반도체 산업은 급속히 변하고 있다"며 "시장 상황과 고객의 요구를 빠르게 파악하여 대응하는 것은 기본이며, 무엇보다 이를 뒷받침할 수 있는 기술력을 꾸준히 준비하는 것이 중요하다"고 말했다. 이어 "SK하이닉스가 HBM을 통해 AI 메모리 시장을 선도할 수 있었던 것은 바로 이러한 준비 덕분"이라고 덧붙였다.