[FETV=허지현 기자] "HBM 시장 성장 지속하겠다"

SK하이닉스가 25일 진행된 1분기 실적 콘퍼런스콜에서 "올해 고객이 원하는 HBM3E 제품은 주로 8단"이라며 "HBM3E 12단 제품은 고객 요청 일정에 맞춰 올해 3분기 개발을 완료하고 고객 인증을 거친 다음 내년 수요가 본격적으로 늘어나는 시점에 안정적으로 공급하려고 준비하고 있다"고 전했다.

이어 "HBM3E는 상대적으로 높은 성능, 원가 상승분 등을 고려해서 기존 HBM3 대비 가격 프리미엄이 반영돼 있다"며 "업계 최고 수준의 극자외선(EUV) 생산성, 1b나노 테크 완성도를 기반으로 HBM3E 양산 램프업도 순조롭게 진행하고 있다"고 설명했다. 또한 "현재 진척도를 고려하면 가까운 시일 내에 HBM3와 비슷한 수준의 수율 달성이 가능할 것으로 보이며, 원가 측면에서도 빠른 안정화를 추진하고 있다"고 덧붙였다.

메모리 업계의 HBM 생산능력 증설에 따른 HBM 공급 과잉 우려는 일축했다. 클라우드서비스기업(CSP)의 AI 서버 투자 확대, AI 서비스 품질 개선을 위한 추가 수요 등으로 HBM 수요가 더 큰 폭으로 증가한다는 것이다. 반년 전에 비해 HBM 수요 가시성이 더 명확해지는 모습이라고 설명했다.

SK하이닉스는 "올해 이후 HBM 시장은 여전히 AI 성능 향상을 위한 파라미터 증가, AI 서비스 공급자 확대 등으로 급격한 성장을 지속할 것"이라며 "제품 경쟁력과 대규모 양산 경험을 기반으로 상당수의 기존 고객, 잠재 고객과 함께 2025년 이후까지 장기 프로젝트를 논의 중"이라고 설명했다.

HBM 시장 주도권을 선점한 SK하이닉스는 지난 3월 메모리 업체 중 가장 먼저 HBM3E 8단 제품을 양산해 미국 반도체 기업 엔비디아에 공급하기 시작한 데 이어 엔비디아의 연례 개발자 콘퍼런스 'GTC 2024'에서는 HBM3E 12단 실물을 공개한 바 있다.

앞서 SK하이닉스는 신규 팹(fab·반도체 생산공장)인 청주 M15X를 D램 생산기지로 결정하고 20조원 이상 투자 계획을 추진 중이다. 특히 공장 건설을 가속화해 2025년 11월 준공 후 양산을 시작할 계획이다.

SK하이닉스는 "HBM은 일반 D램에 비해 다이 사이즈가 2배 정도 커서 더 많은 웨이퍼 생산능력(캐파)이 필요하다"며 "올해 일반 D램을 생산하는 웨이퍼 캐파는 제약이 있을 것"이라고 설명했다. 이어 "하반기쯤 일반 D램 제품의 수요 개선이 명확해지는 시점에 기존 계획보다 빠른 속도로 가동률이 회복될 것"이라며 "다만 가동률을 100% 회복하더라도 선단 공정 전환 과정에서 웨이퍼 생산 캐파는 줄어들 수밖에 없어 올해 연말 D램 업계의 캐파는 과거 피크 수준에는 미치지 못할 것"이라고 덧붙였다.

이밖에 HBM에 하이브리드 본딩 기술을 도입하는 시점은 늦어질 수 있다고 전망했다. SK하이닉스는 "하이브리드 본딩 기술 난이도를 고려했을 때 초기 도입 시점에는 생산성과 품질 리스크가 있을 수 있기 때문에 기술 성숙도가 충분히 확보된 후에 적용하는 것이 HBM의 안정적인 공급과 원가 측면에서 유리하다"며 "품질 확보를 위해 다방면에서 협력해 연구를 진행 중"이라고 설명했다.