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전자


삼성전자, 3세대 10나노급 D램' 세계 첫 개발

세계 첫 미세공정 기반 1z나노 8Gb DDR4 D램 개발 성공
연내 1z나노 D램 라인업 양산해 프리미엄 메모리시장 주도

[FETV=최남주 기자] 삼성전자가 세계 최초로 '3세대 10나노급(1z) 8Gb(기가비트) DDR4 D램’을 개발하는 데 성공했다. 삼성전자는 2세대 10나노급(1y) D램을 양산한지 16개월만에 3세대 10나노급(1z) 8Gb DDR4 D램을 개발하며 또 한번 역대 최고 미세공정 한계기술을 입증했다.

 

3세대 10나노급(1z) D램은 초고가의 EUV 장비를 사용하지 않고도 기존 10나노급(1y) D램보다 생산성을 20% 이상 향상시켰고, 속도 증가로 전력효율도 획기적으로 개선됐다. 삼성전자는 또 3세대 10나노급(1z) D램 기반 PC용 DDR4 모듈로 글로벌 CPU 업체의 모든 평가 항목에서 승인을 완료함으로써 글로벌 IT 고객의 수요 확대에 속도가 붙게 됐다.

 

삼성전자는 올해 하반기에 3세대 10나노급(1z) D램을 양산하고, 내년엔 성능과 용량을 동시에 높인 차세대 D램(DDR5, LPDDR5 등)을 공급하는 등 최첨단 공정 기반의 프리미엄 메모리 기술을 강화해 나갈 계획이다. 삼성전자는 글로벌 주요 고객들과 차세대 시스템 개발단계부터 협력, 글로벌시장을 차세대 라인업으로 빠르게 전환한다는 방침이다.

 

이정배 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실 부사장은 "미세공정 한계를 극복한 혁신적인 D램 기술 개발로 초고속 초절전 차세대 라인업을 적기에 출시했다“고 말했다. 이 부사장은 또 "향후 프리미엄 D램 라인업을 지속적으로 늘려 글로벌 고객의 차세대 시스템 적기 출시 및 프리미엄 메모리 시장의 빠른 성장세 실현에 기여해 나갈 것"이라고 덧붙였다.

 

삼성전자는 현재 글로벌 IT 고객의 공급 요구 수준에 맞춰 평택 최신 D램 라인에서 주력 제품의 생산 비중을 지속 확대하고 있다. 특히 내년엔 경기도 평택에 프리미엄 D램의 수요 확대를 반영한 안정적 양산 체제를 구축, 초격차 사업 경쟁력을 강화한다는 계획이다.