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전자


삼성전자, 실리콘밸리서 차세대 반도체 솔류션 공개

'삼성 테크 데이 2018' 개최…세계최초 256GB 3DS RDIMM 등 소개

 

[FETV=정해균 기자] 삼성전자는 17일(현지시간) 미국 실리콘밸리에 있는 미주법인(DSA) 사옥에서 '삼성 테크 데이(Samsung Tech Day) 2018'을 열고 차세대 반도체 솔루션을 소개했다고 18일 밝혔다.

 

'삼성@모든 것의 중심'(Samsung@The Heart of Everything)이라는 주제로 지난해에 이어 두 번째로 개최된 이날 행사에는 글로벌 IT기업과 미디어 관계자, 애널리스트 등 500여명이 참석했다. 삼성전자에서는 미주지역총괄인 최주선 부사장을 비롯해 메모리 D램 개발실 장성진 부사장, 플래시 개발실 경계현 부사장, 솔루션 개발실 정재헌 부사장, 상품기획팀 한진만 전무 등이 참석했다.

 

삼성전자는 이 자리에서 세계 최초의 '256기가바이트(GB) 3DS RDIMM'과 기업용 7.68테라바이트(TB)급 4비트 서버 SSD(솔리드스테이트드라이브), 6세대 V낸드 기술, 2세대 Z-SSD 등 신제품가 신기술을 공개했다.

 

이날 세계 최초로 공개된 '256GB 3DS RDIMM'은 차세대 초고성능·초고용량 플랫폼 개발에 최적화된 D램 솔루션이다. 삼성전자가 지난해 양산을 시작한 업계 최대 용량의 10나노급 16Gb DDR4 D램이 탑재해 기존 '128GB RDIMM' 대비 용량은 2배로 확대, 소비전력 효율은 30% 개선됐다.

 

메모리 D램 개발실 장성진 부사장은 "2017년 업계 최초로 개발한 2세대 10나노급 D램 기술로 초격차 제품 경쟁력을 강화한 데 이어, 업계 최초 256GB DIMM 양산, LPDDR5, GDDR6 및 HBM2 등 차세대 프리미엄 라인업의 양산 체제를 업계에서 유일하게 구축했다"고 밝혔다. 또 "향후 EUV공정 기반의 차세대 D램을 선행 개발해 초고속 초고용량 D램의 시장 수요를 지속 확대해 사업 위상을 더욱 높여나갈 것"이라고 강조했다.

 

파운드리 사업부에서는 극자외선(EUV) 노광 기술을 적용한 파운드리 7나노 공정(7LPP) 개발을 완료하고 생산에 착수했다고 밝혔다. 이번 7LPP 공정은 기존 대비 약 20% 향상된 성능 또는 약 50% 향상된 전력 효율을 제공한다. 

 

이날 행사에서는 퓨처럼 리서치의 수석 분석가 다니엘 뉴먼이 '산업의 변화'를 주제로 기조연설을 맡았으며, 이후 삼성 테크놀로지 리더십과 에코-빌드·파트너십 두 가지 테마로 진행됐다. 또 애플 공동 창업자 스티브 워즈니악 강연과 마이크로소프트, 휴렛 팩커드 엔터프라이즈, 브이엠웨어 주요 인사들이 참여하는 패널 토론도 진행돼 큰 관심을 받았다.


삼성전자 미주 지역총괄 최주선 부사장은 "빅데이터 분석과 인공지능(AI) 기술이 본격 확산되면서 차세대 IT 시장도 고객 가치를 높일 수 있도록 혁신적으로 변화하고 있다"며 "글로벌 IT 시장을 선도하는 고객들에게 반도체 기술 발전의 가능성과 차세대 제품을 공개하게 돼 기쁘다"고 말했다.


삼성전자는 미국, 중국, 한국, 일본에 이어 현지시간 18일 독일 뮌헨에서 유럽 지역의 고객과 파트너를 대상으로 파운드리 포럼을 개최하고 7나노 공정 등 첨단 공정 로드맵을 내놓을 예정이다.